Ką daryti, kad būtų išspręsta per daug spinduliuotės perjungiant maitinimo šaltinius?
Perjungiamas maitinimo šaltinis turi didelį įtampos ir srovės kitimo greitį, todėl yra didelis trukdžių intensyvumo lygis; Trikdžių šaltiniai daugiausia koncentruojami maitinimo jungimo laikotarpiu, taip pat prie jo prijungtas aušintuvas ir aukšto lygio transformatorius, o trikdžių šaltinio padėtis skaitmeninėje grandinėje yra gana aiški; Perjungimo dažnis nėra didelis (nuo dešimčių kilohercų iki kelių megahercų), o pagrindinės trukdžių formos yra laidieji trukdžiai ir artimojo lauko trukdžiai.
Per 1MHz:
Daugiausia remiasi diferencialinio režimo trukdžiais. 1. Padidinti X elektrinę talpą; 2. Pridėkite diferencialinio režimo induktyvumą; 3. Maži maitinimo šaltiniai gali būti apdorojami naudojant PI tipo filtrus (prie transformatorių rekomenduojama rinktis didesnius elektrolitinius kondensatorius).
1M-5MHz:
Diferencialinio režimo bendrojo režimo maišymas, naudojant įvestį ir X kondensatorių seriją diferenciniams trukdžiams filtruoti ir analizuoti, kurie trukdžiai viršija standartą, ir juos išspręsti;
5MHz:
Aukščiau daugiausia dėmesio skiriama sąveikos trukdžiams ir taikomas bendravimo prisilietimo slopinimo metodas. Jei korpusas įžemintas, naudojant magnetinį žiedą 2 apsisukimams ant įžeminimo laido, trukdžiai žymiai susilpnėja virš 10 MHz (didiu 2006); Esant 25-30MHz, galima padidinti Y talpą į žemę, apvynioti vario apvalkalą transformatoriaus išorėje, pakeisti PCBLAYOUT ir prijungti nedidelį magnetinį žiedą su dviguba laido apvija prieš išvesties liniją, su mažiausiai 10 apsisukimų ir įdėkite RC filtrą abiejuose išėjimo lygintuvo vamzdžio galuose.
1M-5MHZ:
Diferencialinio režimo bendrojo režimo maišymas naudoja X kondensatorių, lygiagrečiai sujungtų įvesties gale, kad būtų galima filtruoti diferencinio režimo trikdžius ir analizuoti, kokio tipo trikdžiai viršija standartą, ir tai išspręsti. 1. Jei diferencialinio režimo trukdžiai viršija standartą, X talpa gali būti reguliuojama pridedant diferencinio režimo induktyvumą ir reguliuojant diferencinio režimo induktyvumą; 2. Bendrojo režimo trukdžiams, viršijantiems standartą, galima pridėti bendrojo režimo induktorius ir pasirinkti tinkamą induktyvumo dydį, kad būtų slopinamas; 3. Lygintuvo diodo charakteristikos taip pat gali būti pakeistos, kad būtų galima apdoroti porą greitųjų diodų, tokių kaip FR107, ir porą įprastų lygintuvų diodų 1N4007.
Virš 5MHz:
Daugiausia dėmesio skiriant sąveikos trukdžiams, taikant bendro prisilietimo slopinimo metodą.
Jei korpusas įžemintas, magnetinio žiedo naudojimas nuosekliai 2-3 įžeminimo laido apsisukimų metu turės reikšmingą slopinimo poveikį, kai trukdžiai viršija 10 MHz; Galite pasirinkti tvirtai priklijuoti varinę foliją prie geležinės transformatoriaus šerdies su varine folija uždara kilpa. Atsižvelkite į galinio išėjimo lygintuvo vamzdžio sugerties grandinės dydį ir pirminės didelės grandinės lygiagrečią talpą.
20M{1}}MHz:
1. Tam tikro tipo gaminiams galima pritaikyti Y2 talpą prie žemės arba pakeisti Y2 talpos padėtį;
2. Sureguliuokite Y1 kondensatoriaus padėtį ir parametrų reikšmes tarp pirminės ir antrinės pusės;
3. Apvyniokite varinę foliją transformatoriaus išorėje; Pridėkite ekranavimo sluoksnį prie vidinio transformatoriaus sluoksnio; Sureguliuokite kiekvienos transformatoriaus apvijos išdėstymą.
4. Keisti PCB išdėstymą;
5. Prijunkite mažą bendrojo režimo induktorių su dviem lygiagrečiais laidais priešais išvesties liniją;
6. Lygiagrečiai prijunkite RC filtrus abiejuose išėjimo lygintuvo vamzdžio galuose ir sureguliuokite pagrįstus parametrus;
7. Pridėkite BEADCORE tarp transformatoriaus ir MOSFET;
8. Į transformatoriaus įėjimo įtampos kaištį įdėkite nedidelį kondensatorių.
9. Galima padidinti MOS vairavimo pasipriešinimą.
30M-50MHz:
1. Paprastai tai sukelia greitas MOS vamzdžių atidarymas ir uždarymas, kurį galima išspręsti padidinus MOS važiavimo varžą, naudojant 1N4007 lėtus vamzdžius RCD buferio grandinėms ir 1N4007 lėtus vamzdelius VCC maitinimo įtampai.
2. RCD buferio grandinėje yra 1N4007 lėtas tranzistorius;
3. Naudokite 1N4007 lėtą vamzdelį, kad išspręstumėte VCC maitinimo įtampą;
4. Arba priekinis išvesties linijos galas gali būti nuosekliai sujungtas su mažu bendrojo režimo induktoriumi, apvyniotu lygiagrečiai su dviem laidais;
5. Sujunkite nedidelę sugerties grandinę lygiagrečiai su MOSFET DS kaiščiu;
6. Įdėkite BEADCORE tarp transformatoriaus ir MOSFET;
7. Į transformatoriaus įėjimo įtampos kaištį įdėkite nedidelį kondensatorių;
Kai naudojamas PCB išdėstymas, grandinės kilpa, sudaryta iš didelių elektrolitinių kondensatorių, transformatorių ir MOS, turėtų būti kuo mažesnė;
9. Grandinės kilpa, sudaryta iš transformatorių, išėjimo diodų ir išėjimo plokščiosios bangos elektrolitinių kondensatorių, turi būti kuo mažesnė.
