Energijos kaupimas iš išėjimo kondensatorių perjungiamuose maitinimo šaltiniuose
Įtampos ir įkrovimo santykio grafike talpa rodoma kaip įstrižainė linija, o talpoje sukaupta energija yra plotas, esantis po linija. Nors galios MOSFET išėjimo talpa yra netiesinė ir kinta priklausomai nuo nutekėjimo įtampos, išėjimo talpoje saugoma energija vis tiek yra sritis, esanti po netiesinės talpos linija. Todėl, jei galime rasti tiesią liniją, kuri suteikia tą patį plotą kaip ir plotas, esantis kintančioje išėjimo talpos kreivėje, parodytoje Fig. 1, linijos nuolydis yra lygiavertė išėjimo talpa, kuri gamina tą patį sukauptos energijos kiekį.
Kai kuriems senesnės plokštumos technologijos MOSFET projektuotojas gali rasti lygiavertę išėjimo talpą naudodamas kreivės pritaikymą, pagrįstą duomenų lape pateiktomis išėjimo talpos vertėmis, kai įprastai nurodyta 25 V išleidimo šaltinio įtampa.
Taigi energijos kaupimą galima gauti iš paprastos integralinės lygties.
Galiausiai efektyvioji išėjimo talpa yra
išmatuota išėjimo talpos vertė ir pritaikyta kreivė, gauta iš Eq. (3). Jis veikia gerai, palyginti su senos technologijos MOSFET 2 pav. (a). Tačiau MOSFET, naudojantys naujesnes technologijas, pvz., supersandūros technologiją, kur išėjimo talpa turi daugiau netiesinių charakteristikų, paprasto eksponentinės kreivės pritaikymo kartais nepakanka. 2(b) paveiksle parodyta išmatuota *naujos technologijos MOSFET išėjimo talpa ir pritaikyta kreivė naudojant (3) lygtį. Esant lygiavertei išėjimo talpos vertei, tarpas tarp dviejų aukštos įtampos srityje lemia didžiulį skirtumą, nes įtampa padauginama iš integralinės lygties talpos. 2(b) paveiksle pateiktas įvertinimas duos daug didesnę ekvivalentinę talpą, kuri gali suklaidinti pradinę keitiklio konstrukciją.
Numatoma išėjimo talpa, (a) senas MOSFET, (b) naujas MOSFET
Jei išėjimo talpos vertė skiriasi priklausomai nuo nutekėjimo šaltinio įtampos, išėjimo talpoje sukauptą energiją galima rasti naudojant (4) lygtį. Nors talpos kreivė parodyta duomenų lape, iš grafiko nuskaityti talpos reikšmę nėra lengva**. Todėl, atsižvelgiant į nutekėjimo šaltinio įtampą, saugoma energija išėjimo talpoje pateikiama diagramoje *New Power MOSFET duomenų lape. Naudojant 3 paveiksle parodytą kreivę, lygiavertę išėjimo talpą esant norimai nuolatinės srovės (DC) magistralės įtampai galima gauti naudojant (5) lygtį.
