Kokie veiksniai įtakoja perdavimo elektronų mikroskopijos skiriamąją gebą?
A. Atsitiktinio elektronų pluošto taško skersmuo: tai skenuojančio elektroninio mikroskopo skiriamosios gebos riba. Paprastai mažiausias karštojo katodo elektronų pistoleto pluošto taško skersmuo gali būti sumažintas iki 6 nm, o lauko spinduliuotės elektronų pistoletas gali padaryti pluošto taško skersmenį mažesnį nei 3 nm.
B. Krintančio elektronų pluošto plėtimosi efektas mėginyje: difuzijos laipsnis priklauso nuo krintančio pluošto elektronų energijos ir mėginio atominio skaičiaus. Kuo didesnė krintančio pluošto energija, tuo mažesnis mėginio atominis skaičius, tuo didesnis elektronų pluošto tūris, o plotas, kuriame generuojamas signalas, didėja skleidžiantis elektronų pluoštui, todėl sumažėja skiriamoji geba.
C. Naudojamas vaizdo gavimo metodas ir moduliacijos signalas: kai moduliacijos signalu naudojamas antrinis elektronas, dėl jo mažos energijos (mažiau nei 50 eV) ir trumpo vidutinio laisvo kelio (apie 10-100 nm), tik paviršinis sluoksnis 50-100 nm Antriniai elektronai gylio diapazone gali išeiti tik iš mėginio paviršiaus, o sklaidos skaičius yra labai ribotas ir iš esmės nesiplečia į šoną. Todėl antrinio elektrono vaizdo skiriamoji geba yra maždaug lygi pluošto taško skersmeniui. Kai atgal išsklaidyti elektronai naudojami kaip moduliacijos signalas, atgal išsklaidytų elektronų energija yra gana didelė, o prasiskverbimo gebėjimas yra stiprus, todėl jie gali ištrūkti iš gilesnės mėginio srities (apie 30 procentų efektyvaus gylio). Šiame gylio diapazone krintantys elektronai turi gana platų šoninį plėtimąsi, todėl atgalinio elektronų vaizdo skiriamoji geba yra mažesnė nei antrinio elektrono vaizdo, paprastai apie 500-2000nm. Jei kaip moduliavimo signalai naudojami kiti veikimo režimai, tokie kaip elektronų sugertis, rentgeno spinduliai, katodofluorescencija, pluošto sukeltas laidumas ar potencialas, nes signalai ateina iš visos elektronų pluošto sklaidos srities, gautų skenuojamųjų vaizdų skiriamoji geba yra palyginti maža. , paprastai ties l 000 nm arba virš l0000 nm.
