Multimetras – puslaidininkinių tranzistorių pasirinkimas
Tranzistorių parinkimas pirmiausia turi atitikti įrangos ir grandinių reikalavimus, antra – ekonomiškumo principą. Priklausomai nuo taikymo, paprastai reikia atsižvelgti į šiuos veiksnius: veikimo dažnis, kolektoriaus srovė, išsklaidyta galia, srovės stiprinimo koeficientas, atvirkštinio gedimo įtampa, stabilumas ir soties įtampos kritimas ir tt Šie veiksniai turi vienas kitą ribojantį ryšį. Per rinkimus ir valdymą turėtume suvokti pagrindinius prieštaravimus ir atsižvelgti į antraeilius veiksnius.
Žemo dažnio vamzdžių būdingas dažnis fT paprastai yra mažesnis nei 2,5 MHz, o aukšto dažnio vamzdžių fT svyruoja nuo dešimčių MHz iki šimtų MHz ar net daugiau. Renkantis valdymą, fT turi būti 3–10 kartų didesnis už veikimo dažnį. Iš esmės aukšto dažnio vamzdžiai gali pakeisti žemo dažnio vamzdžius, tačiau aukšto dažnio vamzdžių galia paprastai yra palyginti maža, o dinaminis diapazonas yra siauras. Keisdami atkreipkite dėmesį į maitinimo sąlygas.
Paprastai tikimės, kad jis turėtų būti didesnis, bet didesnis ne visada yra geresnis. Jei yra per aukštas, jis lengvai sukels savaime sužadintus virpesius, jau nekalbant apie tai, kad paprastai vamzdžiai su aukštu yra nestabilūs ir juos labai veikia temperatūra. Paprastai vertė yra nuo 40 iki 100, tačiau mažo triukšmo ir didelės vertės vamzdžių (pvz., 1815, 9011 ~ 9015 ir kt.) temperatūros stabilumas vis tiek yra geras, kai vertė pasiekia šimtus. Be to, visai grandinei reikia pasirinkti iš visų lygių koordinavimo. Pavyzdžiui, jei priekinėje scenoje naudojamas didelės beta versijos vamzdis, galinėje scenoje gali būti naudojamas žemos beta versijos vamzdelis; Ir atvirkščiai, jei priekinėje scenoje naudojamas žemos beta versijos vamzdis, užpakalinėje stadijoje gali būti naudojamas didelės beta versijos vamzdelis.
Kolektoriaus-emiterio atvirkštinio gedimo įtampa UCEO turėtų būti parinkta didesnė už maitinimo įtampą. Kuo mažesnė įsiskverbimo srovė, tuo didesnis stabilumas prieš temperatūrą. Paprastų silicio vamzdžių stabilumas yra daug geresnis nei germanio vamzdžių, tačiau įprastų silicio vamzdžių soties įtampos kritimas yra didesnis nei germanio vamzdžių, o tai turės įtakos grandinės veikimui kai kuriose grandinėse. Jis turėtų būti parenkamas atsižvelgiant į konkrečias grandinės sąlygas ir tranzistoriaus suvartojimą. Išsklaidant galią, atsižvelgiant į skirtingų grandinių reikalavimus, reikia palikti tam tikrą maržą.
Tranzistoriams, naudojamiems tokiose grandinėse kaip aukšto dažnio stiprinimas, vidutinio dažnio stiprinimas ir osciliatoriai, turėtų būti parinkti tranzistoriai su dideliu būdingu dažniu fT ir maža tarpelektrodų talpa, kad būtų užtikrintas didelis galios padidėjimas ir stabilumas esant aukštiems dažniams.
