Multimetro naudojimo keitiklio galios moduliui aptikti metodai
Aptikdami grandinės maitinimo modulį (atskirtą nuo elektros tinklo), naudokite rodyklės multimetro diapazoną R × 1, kad išmatuotų šešis lygintuvo tiltelio diodus ir šešių išvesties tilto IGBT tranzistorių kolektorių ir emiterį atitinkamai tiek pirmyn, tiek atgal, kad nustatytumėte, ar jie sugedę. 1 ir 2 lentelėse rodomi įprasti matavimo rezultatai. Kitu atveju viduje yra sugedusių -komponentų. Naudokite rodyklės multimetro B × 1k diapazoną, kad išmatuotų varžą tarp vartų ir kiekvieno iš šešių IGBT tranzistorių emiterio (vairavimo signalo įvesties gnybto), ir jie turėtų būti vienodi. Jei yra skirtumų, tai rodo, kad pavaros grandinė arba IGBT tranzistorius yra pažeistas. Aukščiau pateikti matavimai gali aptikti tik IGBT tranzistorių gedimą ir negali aptikti atviros{10}grandinės pažeidimo. Nuėmus maitinimo modulį iš plokštės, galima toliau matuoti kiekvieną IGBT tranzistorių. Metodas parodytas 1 paveiksle. Kairėje esantis žymeklis rodo ne-laidumą, o dešinėje - laidumą. Jei jo negalima priversti veikti ir atjungti, tada tranzistorius yra pažeistas.
Inverterio galios modulio struktūra:
Inverterio maitinimo modulyje viena dalis yra vienos{0}}fazės arba trifazės- tiltinio lygintuvo grandinė, sudaryta iš diodų, o kita dalis yra trifazė tilto išvesties grandinė, sudaryta iš šešių IGBT tranzistorių (izoliuotų vartų dvipolių tranzistorių) ir šešių bendradarbiaujamų slopinimo diodų.
P1 yra teigiamas +300V išlygintos išvesties gnybtas, o N1 yra neigiamas išlygintos išvesties gnybtas. Šie du kaiščiai yra išoriškai prijungti prie filtro elektrolitinio kondensatoriaus ir yra sujungti per abipusę induktoriaus ritę, kur P1 yra prijungtas prie P2, o N1 yra prijungtas prie N2, tiekiant maitinimą išvesties tiltui, sudarytam iš šešių IGBT tranzistorių.
Trijų IGBT tranzistorių kolektoriai, esantys trifazių išėjimo tilto viršutinėje pusėje-, yra prijungti prie teigiamo maitinimo šaltinio gnybtų, o emiteriai yra atitinkamai U, V ir W trijų{2} fazių išvesties gnybtai. Trijų tranzistorių emiteriai ir užtvarai sudaro trijų -fazių viršutinės pusės- tilto, ty GU-U, GV-V ir GW-W, valdymo signalų įvesties gnybtus. Trijų IGBT tranzistorių kolektoriai apatinėje trijų fazių išvesties tilto pusėje yra atitinkamai prijungti prie U, V ir W, o visi emiteriai prijungti prie neigiamo maitinimo šaltinio gnybto. Trijų tranzistorių užtvarai ir neigiamas maitinimo šaltinio gnybtas sudaro trijų{13}}fazių apatinės pusės{14}}tilto, ty GX, GY ir GZ, valdymo signalų įvesties gnybtus. B yra stabdžių valdymo gnybtas.
